台积电新研发出2nm芯片 独特晶体管功耗降低

台积电即将使用Gate-all-around FETs（GAAFET）晶体管来开发其首部2nm制程节点产品。此外，N2工艺还可以与NanoFlex技术相结合，为芯片设计师提供了灵活的标准元件选择。据预测，与现有的N3E工艺相比，预计在相同功率条件下，性能提升可达10%至15%，或者在相同频率条件下功耗降低25%至30%，同时晶体管密度提高15%。

相关报道表明，台积电生产的每片300mm 2nm晶圆的价格可能会超过3万美元，而此前预期的售价约为2.5万美元。相比之下，当前3nm晶圆的价格大约在1.85万至2万美元之间，4/5nm晶圆的价格约为1.5至1.6万美元。尽管如此，可以预见的是2nm晶圆的价格会有显著增长。需要注意的是，台积电的订单报价包括多种因素，并且与具体客户和订单量有关。某些客户可能会享受到一定优惠，因此3万美元只是一个粗略估算数字。

为满足市场对2nm工艺技术强劲需求，《 Strategy Analytical and Management》公司持续投资于该技术研发与生产线建设。随着新工艺的引入，包括EUV光刻步骤甚至可能采用双重曝光，毫无疑问成本将高于3nm制程节点。

台积电计划在2025年下半年开始批量生产N2工艺，并预计最早于2026年之前向客户提供首批采用N2工艺制造的芯片。据预测，苹果将是首个使用台积电这一新技术的客户之一。